Marketwired 2014年9月4日加拿大安大略省渥太華消息/明通新聞專線/――
 

　　領先的非易失性存儲器一次性可編程(OTP)知識產權(IP)內核開發商Sidense今天宣布，公司以采用16納米CMOS FinFET工藝技術制造的測試芯片，成功演示了1T-OTP位單元架構的讀寫能力。
 

　　Sidense創始人、首席技術官Wlodek Kurjanowicz表示：“Sidense的嵌入式一次性可編程存儲器宏業已被授權給客戶用于從0.18微米向下至28納米的設計，同時也被證明適用于20納米工藝技術。我們的分離通道1T-OTP宏被設計成隨著采用更小的工藝技術而具有更高的可擴展性。看到我們的理論在諸如FinFET這樣的新晶體管架構中得到驗證，我們感到非常高興。”
 

　　與20納米標準晶體管相比，三維16納米FinFET架構的性能更高、動態功耗更低、晶體管體積更小，而前者的優勢在于能讓設計師在一塊芯片上實現更多的功能。更為重要的是，FinFET架構消除了短通道效應及隨之而來的高泄漏電流，這兩個因素妨礙傳統平面晶體管器件的可擴展性。由于擁有這些屬性，利用FinFET架構設計的器件對那些要求高性能和最小功耗的細分市場(如移動計算、通信和物聯網上的高端處理器節點)具有很大的吸引力。
 

　　采用16納米工藝技術的初步測試結果證實位單元工作正常，編程電壓與28納米的Sidense 1T-OTP差不多，且泄漏電流只有十分之一。編程位單元特性與20納米和28納米位單元相比一樣好甚至更好，具有卓越的后烘烤位單元穩定性，并且已編程單元和未編程單元之間有非常大的余量。
 

　　臺積電(TSMC)設計基礎設施營銷部高級總監Suk Lee表示：“臺積電的16納米技術憑借增強的速度性能和降低的功耗，是移動設備芯片設計的首選。非易失性存儲器現在和將來仍是移動設備的關鍵部件。采用這種工藝技術的Sidense一次性可編程器件取得良好的初步測試結果令人鼓舞。”
 

　　關于Sidense公司
 

　　Sidense公司提供適用于標準邏輯CMOS工藝的高密度、高可靠性和高安全性的非易失性一次性可編程(OTP)邏輯非易失性存儲器(LNVM)智權(IP)。公司已經獲得或正在申請的專利超過120項，公司提供基于創新型單晶體管1T-Fuse(TM)位單元的OTP存儲器IP許可，1T-Fuse的制造過程不需要額外的掩模或工藝步驟。與閃存、掩模型ROM、eFuse及其他嵌入式和芯片外NVM技術相比，Sidense 1T-OTP宏提供了一個更好的現場可編程、高可靠性和高成本效益的解決方案，適合程序儲存、密鑰、模擬信號調整和設備配置等多種用途。
 

　　目前已有125家公司，包括許多頂級無廠半導體制造商和IDM廠商，采用Sidense 1T-OTP作為超過400種芯片設計的NVM解決方案。客戶日益認識到，該解決方案能顯著降低成本和能耗，還為從移動和消費電子設備到高溫、高可靠性的汽車和工業電子設備等應用提供了更好的安全性和可靠性。該IP被提供給所有頂級半導體晶圓廠和精選的IDM廠商并得到它們的支持。Sidense總部在加拿大渥太華，并在世界各地設有銷售辦事處。了解更多詳情，請訪問：www.sidense.com。
 

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