GaN Systems公司宣布推出全球最高額定電流的氮化鎵功率晶體管

　　渥太華, Feb. 28, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- 全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)GaN Systems公司今日向公眾發(fā)布120 A, 650 V GaN E-HEMT產(chǎn)品，憑借業(yè)界最強(qiáng)大的高性能氮化鎵晶體管系列延續(xù)其領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　隨著功率水平不斷上升，提出了更高的工作電流要求。在汽車、工業(yè)和可再生能源行業(yè)，氮化鎵的眾多優(yōu)勢(shì)可應(yīng)用于現(xiàn)今更高的功率水平。這項(xiàng)開創(chuàng)性產(chǎn)品即將于2018年3月4日至8日在得克薩斯州圣安東尼奧舉行的應(yīng)用電力電子會(huì)議與博覽會(huì)(Applied Power Electronics Conference & Exposition / APEC)上展出，展位編號(hào)#1041。

　　Gan Systems的120 A, 650 V GaN E-HEMT產(chǎn)品令功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的功率密度增加20至500 kW，包括汽車牽引逆變器、超高功率車載充電器(on-board chargers / OBC)、大型能量存儲(chǔ)系統(tǒng)和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。這種晶體管具有GaN Systems公司最高額定電流部分的電流能力的兩倍，使客戶能以相同的體積將功率處理效率提高一倍。

　　該產(chǎn)品(GS-065-120-1-D)作為模塊售予客戶構(gòu)建模塊，是功率半導(dǎo)體行業(yè)中最低的RDS(on)，最高電流650 V GaN HEMT。 根據(jù)外形因素衡量，模塊占高達(dá)40%的市場(chǎng)份額，是高功率電子設(shè)備的重要外形因素。客戶將使用該半橋、全橋和六包模塊拓?fù)涞穆闫a(chǎn)品來(lái)創(chuàng)建增強(qiáng)型高功率設(shè)計(jì)。

　　GaN Systems公司首席執(zhí)行官Jim Witham表示：“這是市場(chǎng)上最重要的氮化鎵模塊產(chǎn)品，并與嵌入式和傳統(tǒng)模塊技術(shù)兼容。作為我們旗艦產(chǎn)品的延伸，它涵蓋了氮化鎵技術(shù)和我們的氮化鎵功率晶體管方法的所有優(yōu)勢(shì) - 易于使用、高功率密度和高效率 - 使電源系統(tǒng)尺寸更小、成本更低并實(shí)現(xiàn)前所未見的功率水平。”

　　欲了解更多信息，請(qǐng)聯(lián)系GaN Systems 銷售部門或蒞臨GaN Systems公司在APEC的展位#1041。

　　關(guān)于GaN Systems公司﹕

　　GaN Systems公司是GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，擁有最多元的產(chǎn)品組合，能夠滿足當(dāng)今要求最苛刻的行業(yè)(包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、可再生能源系統(tǒng)、汽車、工業(yè)電機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品)的需求。

　　作為市場(chǎng)領(lǐng)先的創(chuàng)新者，GaN Systems使設(shè)計(jì)更小、更低成本、更高效率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成為可能。該公司屢獲殊榮的產(chǎn)品使系統(tǒng)設(shè)計(jì)擺脫了以往硅晶體管的限制。通過改變晶體管的性能規(guī)則，GaN Systems公司助力功率轉(zhuǎn)換企業(yè)徹底改變他們的行業(yè)，改變世界。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問：www.gansystems.com 或Facebook、Twitter 和LinkedIn。

　　媒體聯(lián)系人﹕

　　Mary Placido

　　Trier and Company for GaN Systems

　　mary@triercompany.com