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    Sanan IC公布商業(yè)版本的6英寸碳化硅晶圓制造流程

    時間:2018-12-20 10:38 來源:中文商業(yè)新聞網作者:中文商業(yè)新聞網
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    中文商業(yè)新聞網(biznewcn.com)訊:

      桑尼維爾市,加利福尼亞州, Dec. 19, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD. (Sanan IC) ,一家擁有先進化合物半導體技術平臺的晶圓制造專營公司,今天宣布已完成了商業(yè)版本的6英寸碳化硅(SiC)晶圓制造技術的全部工藝鑒定試驗,并將其加入到代工服務組合中。Sanan IC致力于提供先進的材料制造能力,以服務全球市場,公司目前生產的碳化硅晶圓,是用于電力電子中電路設計的最成熟的寬禁帶(WBG)半導體。利用其III-V族化合物半導體制造供應鏈保證能力,即砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和磷化銦(InP),公司為6英寸碳化硅晶圓加工服務提供了專用能力。

      “我們很高興公司的晶圓代工服務擴展到包括碳化硅的現(xiàn)有規(guī)模,并使其在全球寬禁帶半導體市場實現(xiàn)商業(yè)應用”,Sanan IC的首席執(zhí)行官Raymond Cai說道,“由于具有更高的效率、開關頻率和溫度的特點,我們注意到在利用碳化硅取代硅解決方案服務高速增長的電力電子市場方面存在巨大商機。汽車、大數(shù)據(jù)、可再生清潔能源和電力行業(yè)的巨大增長,為我們向全球市場提供碳化硅工藝技術服務創(chuàng)造了機遇。憑借我們先進的制造工廠、穩(wěn)定的供應鏈和全球資深行業(yè)團隊,Sanan IC已經成為了理想的代工伙伴。”

      Sanan IC的碳化硅工藝技術可以為650V、1200V和更高額定肖特基勢壘二極管(SBD)提供器件結構,不久后會推出針對900V、1200V和更高額定肖特基勢壘二極管的碳化硅MOS場效應晶體管工藝(SiC MOSFETs)。由于具有更高的性能,SiC SBDs和SiC MOSFETs正在用于從650V開始的能量轉換應用。考慮到相比于硅,碳化硅擁有更高的效率、功率密度、開關頻率、溫度、擊穿強度、以及更緊湊和更輕的系統(tǒng)設計的優(yōu)良性能,一些領域已經開始應用這項技術。

      碳化硅技術的應用已加速進入商業(yè)和工業(yè)市場,比如太陽能發(fā)電廠、工業(yè)馬達驅動器、企業(yè)服務器和蜂窩基站電源的功率因數(shù)校正(PFC)。在電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中,碳化硅被廣泛應用于車載充電器(OBC)、動力傳動系統(tǒng)逆變器和DC/DC變流器。根據(jù)Yole集團旗下在科技市場調研公司中處于領先地位的Yole Développement(Yole)的預測,到2023年,碳化硅電力半導體器件市場的價值將超過15億美元,其2017年到2023年的復合年增長率(CAGR)將達到31%。Sanan IC有望滿足客戶對質量,體積,坡道和可靠性的要求。

      資料來源:

      1Power SiC 2018: Materials, Devices, and Applications Report, Yole Développement (Yole), 2018年7月

      關于Sanan IC

      Sanan Integrated Circuit Co., Ltd. (Sanan IC)是中國第一家6英寸化合物半導體晶圓制造公司,服務于全球微電子及光電子市場。該公司成立于2014年,位于中國福建省廈門市,是Sanan Optoelectronics Co., Ltd. (SSE: 600703)名下的子公司。該公司憑借先進的III-V族化合物半導體生產設備,主營業(yè)務為開發(fā)和提供砷化鎵、氮化鎵、碳化硅和磷化銦代工服務。Sanan IC已得到ISO9001國際質量標準認證和ISO14001環(huán)境管理標準認證,并通過其先進的工藝技術平臺為全球無線射頻、毫米波、濾波器、電力電子領域和光纖通訊市場提供支持。Sanan IC: 致力于推動化合物半導體創(chuàng)新。www.sanan-ic.com/en。

      媒體聯(lián)系方式

      Raymond Biagan

      ray@sanan-ic.com


    (責任編輯:海諾)
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